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美國科學(xué)家開發(fā)出可彎曲的薄型LED半導(dǎo)體,以接近100%的效率發(fā)光且不易損耗

2021-9-9 10:13:23來源:網(wǎng)絡(luò)作者:
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  • 一組美國科學(xué)家發(fā)現(xiàn),稍微彎曲成原子薄的LED半導(dǎo)體,可以以接近100%的效率發(fā)出光,并避免效率隨著亮度的增加而下降——這通常會困擾這些LED。
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  • 半導(dǎo)體

一組美國科學(xué)家發(fā)現(xiàn),稍微彎曲成原子薄的LED半導(dǎo)體,可以以接近100%的效率發(fā)出光,并避免效率隨著亮度的增加而下降——這通常會困擾這些LED。

從智能手機屏幕到低能耗照明,發(fā)光二極管(LED)多次改變了世界。但LED的效率往往會隨著亮度的增加而降低——這個問題對于一種新型的、有趣的二維半導(dǎo)體材料,即所謂的過渡金屬二鹵族(TMDs)來說,尤其令人煩惱。這些原子薄材料在高亮度下的顯著效率下降,阻礙了它們在實際應(yīng)用中的應(yīng)用。

現(xiàn)在,加州大學(xué)伯克利分校和美國勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員可能已經(jīng)找到了一種非常簡單的方法來繞過這些LED容易遭遇的效率障礙。

該團隊已經(jīng)證明,在TMD上施加小于1%的機械應(yīng)變,就可以改變材料的電子結(jié)構(gòu),即使在高亮度水平下,也足以實現(xiàn)近100%的光發(fā)射效率(即光致發(fā)光量子產(chǎn)率)。研究小組認(rèn)為,這一結(jié)果,可以使新一代LED設(shè)備避免由于亮度增加而造成的效率侵蝕。

在所有有機和一些無機LED中,高亮度下的效率下降根源于一種被稱為激子-激子湮滅(EEA)的現(xiàn)象。

當(dāng)電流或激光束等能量源激發(fā)半導(dǎo)體時,它將帶負電荷的電子從半導(dǎo)體的價帶踢入導(dǎo)帶,留下帶正電荷的電子空穴。

在具有正確性質(zhì)的半導(dǎo)體中,電子-空穴對仍以一種稱為激子的中性準(zhǔn)粒子的形式存在。隨后激子中的電子和空穴的輻射重組導(dǎo)致光子的發(fā)射,從而產(chǎn)生LED的可見光發(fā)射。

在低激子密度下,幾乎所有激子都有足夠的空間進行輻射重組,TMD LED的量子產(chǎn)率接近100%。但隨著LED亮度的增加,激子密度的增加,激子開始碰撞并相互擦除,導(dǎo)致非輻射衰減,或EEA,以熱量的形式消散。結(jié)果:這種超薄材料的光致發(fā)光效率隨著亮度的增加而下降。

非輻射EEA的數(shù)量在很大程度上取決于半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的細節(jié)。伯克利的研究小組發(fā)現(xiàn),特別是對于TMD半導(dǎo)體,EEA的數(shù)量通過van Hove奇點得到了增強。

van Hove奇點是半導(dǎo)體能量結(jié)構(gòu)中微小的扭曲,它在那一點上增強了態(tài)密度(可占據(jù)的可能能態(tài)的數(shù)量)。

為了解決高激子密度下的EEA問題,伯克利的研究人員研究了調(diào)整TMD材料能帶結(jié)構(gòu)的方法。他們發(fā)現(xiàn)施加單軸應(yīng)變——字面意思是稍微拉伸材料——效果很好。

在他們的實驗中,該團隊安裝了許多不同的TMD,包括單層WS2、WSe2和MoS2,在柔性塑料基板上,添加六方氮化硼層(作為柵極絕緣體)和石墨烯層(作為柵極電極)。然后,研究人員在該設(shè)備上施加電壓偏置,用激光束激發(fā)材料以產(chǎn)生激子,并隨著激光強度(以及激子密度)的增加,測量材料的光致發(fā)光量子產(chǎn)額。

該團隊發(fā)現(xiàn),對于非應(yīng)變TMD,正如預(yù)期的那樣,量子產(chǎn)率隨著激子密度的增加而衰減。然而,輕微彎曲柔性襯底,施加0.2%的拉伸應(yīng)變在TMD,會導(dǎo)致滾脫量顯著減少。當(dāng)拉伸應(yīng)變?yōu)?.4%時,在高亮度下沒有有效的效率下降,材料無論激子密度如何都能保持近100%的光致發(fā)光量子產(chǎn)率。

該團隊的分析表明,張力對量子產(chǎn)率的影響與半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)中“鞍點”(saddle points)的存在有關(guān)——類似于其能量景觀中的山脈通道。在非應(yīng)變材料中,鞍點,即范霍夫奇點的區(qū)域,位于激子的有利能量附近——產(chǎn)生了激子湮滅,從而加強了激子湮滅的水平。輕微彎曲材料可以重塑能帶結(jié)構(gòu),充分移動鞍點,使van Hove奇點不有利于激子湮滅。這反過來又允許更多的激子輻射重組,并提高光致發(fā)光的量子產(chǎn)率。

雖然該團隊的大多數(shù)實驗,都涉及到機械剝離各種二維材料薄片,但研究人員也能夠證明應(yīng)變對大面積(厘米級)WS2薄片的量子產(chǎn)率的有益影響,該薄片是通過更可擴展的化學(xué)氣相沉積過程生長的。研究人員認(rèn)為,這一額外的發(fā)現(xiàn),指出了新一代LED在高亮度下不受效率損耗衰減影響的前景。

(關(guān)鍵字:半導(dǎo)體)

(責(zé)任編輯:01181)
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