近日，專注于第三代半導體氮化鎵技術研發(fā)應用的珠海鎵未來科技(以下簡稱“鎵未來”)宣布獲得數(shù)千萬元A輪融資。本輪投資由珠�？苿�(chuàng)投領投，大橫琴創(chuàng)新發(fā)展有限公司、禮達基金跟投。境成資本作為天使輪領投方，本輪繼續(xù)追加投資。

資料顯示，鎵未來成立于2020年10月，致力于提供從30W到10KW的氮化鎵器件及系統(tǒng)設計解決方案。公司致力于第三代半導體GaN-on-Si器件技術創(chuàng)新和領先，通過高起點、強隊伍等，實現(xiàn)GaN技術的國產(chǎn)化，推動GaN器件的技術的世界領先，并且通過電源系統(tǒng)的創(chuàng)新設計，實現(xiàn)能源的綠色、高效利用。

目前，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)第三代半導體也逐漸為人熟知，其可以與第一代、第二代半導體技術互補，對節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉型升級、催生新的經(jīng)濟增長點將發(fā)揮重要作用。

在團隊方面，鎵未來的核心團隊由IEEE Fellow吳毅鋒博士領銜，深港微電子學院創(chuàng)始人及前華為海思化合物半導體創(chuàng)始成員組成，具有豐富的產(chǎn)業(yè)化研發(fā)和市場運營經(jīng)驗。

(關鍵字：半導體)